Nazewnictwo

Język / system Nazwa
polski Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych (3B001)
pozycja wykazu 3B001

Czym jest

Pozycja 3B001 obejmuje urządzenia produkcyjne, kontrolne i pomiarowe: sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria, w tym. Kontroli podlegają wyroby spełniające progi techniczne określone w załączniku I do rozporządzenia (UE) 2021/821 - poniżej tych progów wyrób nie jest objęty tą pozycją.

Zastosowania cywilne występują w przemyśle elektronicznym i półprzewodnikowym; wykonania o parametrach powyżej progów wykazu, albo przystosowane do zastosowań wojskowych, są objęte kontrolą.

Zakres opisu. Hasło ma charakter rozpoznawczo-prawny. Opisuje cechy pozwalające ustalić status kontrolny obiektu oraz podstawę odpowiedzialności - nie zawiera instrukcji obejścia zabezpieczeń ani wskazówek zastosowania do celów zakazanych.

Pełny tekst pozycji wykazu

Poniżej odwzorowano pełne brzmienie pozycji 3B001 z załącznika I do rozporządzenia (UE) 2021/821 - wraz ze wszystkimi podpunktami, progami liczbowymi, uwagami i uwagami technicznymi. To ten tekst rozstrzyga, czy konkretny egzemplarz jest objęty kontrolą. Zachowano oryginalny układ konspektu (a., 1., a. ...).

3B001 Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria, w tym:
N.B. ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B226.
a. następujący sprzęt zaprojektowany do osadzania warstwy epitaksjalnej:
1. sprzęt zaprojektowany lub zmodyfikowany do wytwarzania powłok o równomiernej grubości z materiałów różnych od krzemu, wykonanych z dokładnością poniżej ± 2,5 % na odcinku o długości 75 mm lub większym;
Uwaga: Pozycja 3B001.a.1. obejmuje urządzenia do epitaksji warstw atomowych.
2. reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD), specjalnie zaprojektowane do wytwarzania warstw epitaksjalnych półprzewodników z materiałów posiadających co najmniej dwa następujące pierwiastki: glin, gal, ind, arsen, fosfor, antymon lub azot;
3. sprzęt wykorzystujący wiązkę molekularną do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego lub stałego;
b. sprzęt zaprojektowany do implantacji jonów i spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
1. nieużywane;
2. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji wodoru, deuteru lub helu;
3. zdolność bezpośredniego zapisu;
4. posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”; lub
5. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji krzemu w półprzewodnikowy materiał „podłoża” podgrzany do temperatury 600°C lub wyższej;
c. nieużywane;
d. nieużywane;
e. automatycznie ładujące się, wielokomorowe, centryczne systemy do wytwarzania płytek elektronicznych spełniające wszystkie poniższe kryteria:
1. interfejsy wejściowe i wyjściowe do płytek, zaprojektowane z myślą o podłączeniu więcej niż dwóch pełniących różne funkcje ‘urządzeń do produkcji półprzewodników’ wymienionych w poz. 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. lub 3B001.b.; oraz
2. zaprojektowane do tworzenia zintegrowanego systemu, działającego w warunkach próżni, do ‘sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania’;
Uwaga: Pozycja 3B001.e. nie obejmuje kontrolą automatycznych zrobotyzowanych systemów wytwarzania płytek elektronicznych, specjalnie zaprojektowanych do równoległego wytwarzania płytek.
Uwagi techniczne:
1. Do celów poz. 3B001.e. ‘urządzenia do produkcji półprzewodników’ to urządzenia modularne umożliwiające zachodzenie procesów fizycznych wymaganych do wytwarzania półprzewodników; pełnią one różne funkcje, takie jak: osadzanie, implantacja lub obróbka cieplna.
2. Do celów poz. 3B001.e. ‘sekwencyjne wytwarzanie płytek metodą powielania’ oznacza zdolność do obrabiania każdej płytki w innym ‘urządzeniu wytwarzającym półprzewodniki’, np. przez przeniesienie każdej płytki z jednego urządzenia do drugiego i do kolejnego przy pomocy automatycznego wielokomorowego centralnego systemu podawania płytek.
f. następujący sprzęt litograficzny:
1. sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
a. źródło światła o długości fali krótszej niż 193 nm; lub
b. zdolny do wytwarzania wzorów o ‘rozmiarze minimalnej rozdzielczości wymiarowej’ (MRF) 45 nm lub mniejszej;
Uwaga techniczna:
‘Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej’ (MRF) obliczany jest według poniższego wzoru:
gdzie współczynnik K = 0,35
2. urządzenia do litografii nanodrukowej zdolne do drukowania elementów o wielkości 45 nm lub mniejszych;
Uwaga: Pozycja 3B001.f.2. obejmuje:
narzędzia do mikrodruku kontaktowego, narzędzia do wytłaczania na gorąco, narzędzia do litografii nanodrukowej, narzędzia do litografii „step-and-flash” (S-FIL).
3. sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:
a. posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; oraz
b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
1. apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub
2. nieużywane;
3. błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;
4. sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:
a. wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz
b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
1. minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub
2. błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);
g. maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wymienionych w pozycji 3A001;
h. maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym niewyszczególnione w pozycji 3B001.g.
i zaprojektowane do stosowania w urządzeniach litograficznych, w których długość fali źródła światła jest mniejsza niż 245 nm;
Uwaga: Pozycja 3B001.h. nie obejmuje kontrolą wielowarstwowych masek z warstwą z przesunięciem fazowym, zaprojektowanych do wytwarzania urządzeń pamięciowych, niewymienionych w pozycji 3A001.
N.B. W przypadku masek i siatek optycznych specjalnie zaprojektowanych do czujników optycznych zob. pozycję 6B002.
i. szablony do litografii nanodrukowej układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001;
j. „półprodukty podłoży” maski z wielowarstwową strukturą reflektora składającą się z molibdenu i krzemu oraz spełniające wszystkie poniższe kryteria:
1. specjalnie zaprojektowane do litografii w paśmie ‘ekstremalny nadfiolet’ (‘EUV’); oraz
2. zgodne ze standardem SEMI P37.
Uwaga techniczna:
‘Ekstremalny nadfiolet’ (‘EUV’) odnosi się do długości fali widma fal elektromagnetycznych większej niż 5 nm i mniejszej niż 124 nm.

Reżim kontrolny wiodący dla tej pozycji: Porozumienie z Wassenaar.

Miejsce w grupie i pozycje pokrewne

Podstawa prawna kontroli

Wykaz / akt Pozycja Uwagi
Rozporządzenie (UE) 2021/821, załącznik I 3B001 kategoria 3 wykazu podwójnego zastosowania
Porozumienie z Wassenaar wykaz towarów i technologii podwójnego zastosowania reżim kontroli wywozu
Prawo polskie - obrót z zagranicą ustawa z dnia 29 listopada 2000 r. o obrocie z zagranicą towarami, technologiami i usługami o znaczeniu strategicznym zezwolenie na wywóz, transfer, pośrednictwo i tranzyt; nadzór

Rozpoznanie w warunkach terenowych

Sygnały - precyzyjne urządzenia, podzespoły lub materiały z dokumentacją techniczną; wykonanie o parametrach przekraczających potrzeby deklarowanej działalności; oznaczenia producenta i numery katalogowe pozwalające ustalić klasę wyrobu.

Wskaźniki - parametry powyżej progów wykazu; powiązanie z programem objętym kontrolą (reżim kontroli wywozu); odbiorca bez uzasadnienia cywilnego.

Zasady bezpieczeństwa - zabezpieczenie sprzętu, nośników i dokumentacji technicznej; ustalenie deklarowanego i rzeczywistego przeznaczenia oraz odbiorcy końcowego; ocena parametrów przez biegłego.

Ocena wyrobu: objęty a nieobjęty kontrolą

Objęte kontrolą są wyroby spełniające kryteria pozycji 3B001; wykonania o parametrach poniżej progów nie podlegają tej pozycji, chyba że wchodzą w skład zestawu objętego kontrolą albo służą realizacji zamiaru objętego odrębną penalizacją.

Znaczenie prawne. Wywóz, transfer wewnątrzunijny, pośrednictwo lub tranzyt bez wymaganego zezwolenia realizuje znamiona czynu z art. 33 ustawy o obrocie z zagranicą towarami o znaczeniu strategicznym. Obiekt o parametrach poniżej progów kontrolnych nie podlega temu reżimowi, chyba że stanowi element zestawu objętego kontrolą.

Odpowiedzialność karna

Podstawa Czyn Zagrożenie
art. 33 ustawy o obrocie z zagranicą towarami o znaczeniu strategicznym wywóz, wewnątrzunijny transfer, pośrednictwo lub tranzyt bez wymaganego zezwolenia od roku do lat 10
art. 13 § 2 k.k. usiłowanie nieudolne (wyrób poniżej progów albo zamiar nieziszczalny) jak za usiłowanie

Hasła powiązane

Przypisy

  1. Rozporządzenie (UE) 2021/821, załącznik I, pozycja 3B001.
  2. Porozumienie z Wassenaar - wykaz towarów i technologii podwójnego zastosowania.
  3. Ustawa z dnia 29 listopada 2000 r. o obrocie z zagranicą towarami, technologiami i usługami o znaczeniu strategicznym dla bezpieczeństwa państwa.
  4. Ustawa z dnia 6 czerwca 1997 r. - Kodeks karny, art. 13 § 2, art. 33.